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碳热冲击驱动光伏废硅定向重构:非晶硅纳米线自支撑阳极的高效制备与锂储性能优化

发布时间:2025-05-08 09:01人气:

研究背景

    晶体硅光伏产业发展迅速,但切割过程中产生大量废硅(wSi),每年超20万吨,造成约3亿美元经济损失。目前wSi多采用填埋或重熔精炼处理,在光伏和储能领域利用效果不佳,且回收技术复杂,能耗高、易造成二次污染。同时,硅基储能技术中,硅理论容量超高(\(4200mAh g\) )且锂化电位安全(\(<0.4V\) vs. Li/Li),用wSi制造硅基负极备受关注。

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关键问题

    wSi用于制造硅基负极面临诸多挑战,如充放电时体积膨胀超300%、导电性差、表面氧化严重、粒径分布不均等。传统改善策略制备过程复杂,未改变wSi内在特性,电化学性能提升不显著。此外,传统制备一维纳米线的方法存在产物多为晶体、依赖贵金属催化剂、加热冷却速率慢难以直接将wSi转化为纳米线等问题。

创新点

     创新性回收策略:提出增值回收策略,利用wSi的本征氧化特性和碳热冲击(CTS)产生的高温梯度热场(约\(4.2×10^{3}K s^{-1}\) ),在受限氧化物空间内驱动Si原子定向扩散,将wSi快速转化为高性能非晶硅纳米线(a-SiNWs)。 


独特制备方法:引入铜纳米颗粒调制Si原子表面能,加速Si原子析出,实现a-SiNWs在碳布表面原位生长,形成自支撑电极材料a-SiNWs@CC。该电极用于锂离子电池表现出优异性能,如初始库仑效率达91.35%(\(0.2A g^{-1}\) ),\(2A g^{-1}\) 下循环250次后容量仍有\(2150mAhg^{-1}\) 。

揭示生长机制:明确了a-SiNWs@CC的生长机制,包括wSi和铜盐在碳布上的物理附着、CTS过程中wSi熔化和铜盐分解、粒子裂变聚集、Si - Cu融合和\(SiO_{x}\) 热蒸发、在氧限制域条件下熔体一维生长并吸附\(SiO_{x}\) 、Si原子析出和定向扩散形成a-SiNWs等阶段。

研究方法论

1,实验材料准备:wSi由JA Co., LTD提供,经简单蒸发、干燥和粉碎获得。将wSi配制成5 wt%的悬浮液,加入一定量五水硫酸铜(基于wSi质量的3 wt%计算),超声分散后,将碳布浸入其中,搅拌、干燥后置于CTS装置中制备a-SiNWs@CC电极。对比电极c-SiNWs@CC制备时不添加五水硫酸铜,wSi@CC电极未进行CTS处理且未引入铜。


2,材料表征手段:运用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)观察样品形貌和结构;激光粒度分析仪测定粒径分布;拉曼光谱、X射线衍射(XRD)分析材料结构;电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)测量材料纯度;高温接触角测试仪测量接触角;万能材料试验机测试拉伸应变曲线;X射线光电子能谱(XPS)分析表面化学键。


3,电化学性能测试:将样品制成直径10 mm的圆片直接作为工作电极,在半电池测试中,锂金属为对电极,特定电解液和隔膜组成测试体系,在0.01 - 3.0 V电压窗口评估电化学循环和倍率性能。全电池测试中,将预锂化三次的负极与\(LiFePO_{4}\) 正极组装,在2.4 - 3.6 V电压窗口评估性能。采用恒流充放电、恒电流间歇滴定技术(GITT)、电化学阻抗谱(EIS)等方法测试电池性能。 


总结概述

图1:

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展示合成a-SiNWs@CC的CTS过程,包括示意图和碳布基板不同阶段的温度曲线及光学图像,体现CTS过程中温度变化(约2100 K,加热速率\(4.2×10^{3}K s^{-1}\) )。



图2

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对材料进行形貌和结构表征,包括a-SiNWs生长过程、碳布及负载混合物的SEM图像、a-SiNWs@CC不同放大倍数的微观形貌、TEM和HRTEM图像、SAED图案、HAADF和EDS元素映射,表明a-SiNWs@CC具有约15 nm的直径、高长径比、非晶结构,且尖端有Cu。



图3

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研究材料高温熔融行为及a-SiNWs@CC和c-SiNWs@CC的形成过程,对比wSi和wSi与Cu粉混合物的熔点、高温接触角,揭示Cu降低Si熔点、促进反应、降低表面能利于纳米线生长的作用。



图4

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表征wSi@CC、c-SiNWs@CC和a-SiNWs@CC的物理化学性质,如接触角、拉伸应变曲线、活性材料质量面积负载、XRD图案、拉曼光谱、XPS分析的Si 2p和Cu 2p光谱、FTIR光谱,说明a-SiNWs@CC润湿性好、结构稳定、导电性佳且表面化学键丰富。



图5

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测试a-SiNWs@CC电极的电化学性能,包括半电池和全电池的充放电曲线、库仑效率、循环曲线、倍率曲线等,显示a-SiNWs@CC具有高初始库仑效率、高可逆容量、优异的循环稳定性和倍率性能。



图6

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研究 a-SiNWs@CC 材料的动力学性质,通过原位 EIS 和 DRT 曲线、GITT 测试,计算锂离子表观扩散系数,表明 a-SiNWs@CC 电极阻抗低、离子扩散速率快、结构稳定。



图7

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模拟 a-Si 和 c-Si 的锂化膨胀及其与碳基板的相互作用,展示 von mises 应力、伸长率、电极位移等,说明 a-Si 的各向同性有助于缓解应力集中,电极结构更稳定。



图8

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表征循环 100 次后电极的形貌和表面 SEI 成分,对比不同电极表面情况和 SEI 成分,提出 a-SiNWs@CC 大规模制备的卷对卷连续生产工艺。


结论

成功制备 a-SiNWs@CC 电极:利用 CTS 提供的高梯度热场和 wSi 的氧化特性,诱导 a-SiNWs 生长,成功制备 a-SiNWs@CC 电极,明确 Cu 是 a-SiNWs 形成的主要驱动因素。


优异的电化学性能:a-SiNWs@CC 电极展现出卓越的储锂性能,初始库仑效率高达 91.35%(0.2Ag ),2Ag 下循环 250 次后容量保持在2150mAhg 。


揭示增强机制和结构演变:阐述 a-SiNWs@CC 电极电子 / 离子传输动力学增强的机制,揭示其在充放电过程中结构完整性和稳定性提高的原因,同时展示循环后电极表面形貌和微观组成的变化。


提出大规模制备工艺:提出 a-SiNWs@CC 的卷对卷连续生产工艺,为 wSi 的优化和再利用开辟了新途径,有望推动 wSi 在高性能柔性电极制备领域的应用。


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